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0,3 W 850 nm IR LED - 5050 LED de 3 chips

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Additional Information

Pacote: Caixa de papelão

produtividade: 1000000000 pcs/week

transporte: Ocean,Land,Air

Lugar de origem: China

Apoio sobre: 7000000000 pcs/week

Certificados : GB/T19001-2008/ISO9001:2008

Código HS: 8541401000

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Atributos do produto

Modelo: 5050IRC-85L10I90

marca: Melhor LED

Embalagem & Entrega

Unidades de venda:	Piece/Pieces
Tipo de pacote:	Caixa de papelão
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Descrição do produto

- LED IR SMD 5050 -

5050IRC-85L10I90

O LED de 850 nm pode ser amplamente utilizado em câmeras de CFTV, câmeras de visão noturna ou algum outro sistema de controle de remoção e sistema de segurança IR. Esta caixa de LED SMD tem 5,0 * 5,0 mm, que é maior que os outros LED SMD (2835 SMD LED, 3528 SMD LED ect.). Para que esta caixa de LED 5050 SMD tenha espaço suficiente para colocar uma matriz nua de LED de 3 chips. Neste caso, esses LEDs de 3 chips infravermelhos de 850 nm terão resultado de radiação de iluminação mais uniforme. Compare com aqueles LED infravermelhos de 850nm de alta potência, esses LEDs de 850nm de 3 chips 5050 serão mais econômicos e com economia de energia. Você precisa de 850 nm com 3 chips dentro do LED SMD? Entre em contato conosco para mais detalhes!

5050 smd ir led

- Size: 5.0*5.0*1.3mm

- Chip Number: 3 chips

- Wavelength: 850nm

- Type: Surface mount device

- Chip brand: Epistar

- Polarity mark cathode

- Different color are available

- Different wavelength are available

- Warranty: 5 Years

- RoHS, REACH, EN62471

- Uniform light output

- Long life-solid state reliability

- Low Power consumption

-Anti UV epoxy resin package

-High temperature resistance

- Parâmetros de dimensão-

5050 led IR 3CHIPS

Esta caixa de LED SMD também está disponível para LED IV, LED UV, LED SMD azul, LED SMD vermelho, LED âmbar etc.

- Cor emissora -

- Parâmetros elétricos -

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	140mw
Pulse Forward Current	IFP	900mA
Forward Current	IF	90mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	2000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	1000Bag
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	1.3	1.4	1.6	V	IF=20mA*3
		1.4	1.5	1.8		IF=50mA*3
		1.6		2.0		IF=100mA*3
Radiant Intensity	IE		10	20	mW/sr	IF=20mA*3
		30	37	45		IF=50mA*3
			78			IF=100mA*3
Peak Wavelength	λP	840	850	860	nm	IF=20mA*3
Half Width	Dl		45		nm	IF=20mA*3
Viewing Half Angle	2q1/2		120		deg	IF=20mA*3
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*2q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.

- Conexão Golden Wire -

Infrared LED golden wire

- Embalagem -

* Nós embalamos com embalagem a vácuo após a fita como uma bobina

- Aplicativo -

- LED IV relacionado -

- Produção -

- Uso de LED SMD -

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Category: 5050 SMD IR LED

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