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Big Chip Tamanho 850 nm IR LED 3528 PLCC-2

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Additional Information

Pacote: Caixa de papelão

produtividade: 1000000000 pcs/week

transporte: Ocean,Land,Air

Lugar de origem: China

Apoio sobre: 7000000000 pcs/week

Certificados : GB/T19001-2008/ISO9001:2008

Código HS: 8541401000

porta: SHENZHEN

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Incoterm: FOB,EXW,FCA

Atributos do produto

Modelo: 3528IRC-85L14I80

marca: Melhor LED

Embalagem & Entrega

Unidades de venda:	Piece/Pieces
Tipo de pacote:	Caixa de papelão
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Vídeo da empresa

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2835 SMD LED Toque o Progresso Reel

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Digite o LED através do orifício como uma tira de carretel

Descrição do produto

- LED IV SMD 3528 -

3528IRC-85L14I80

Para a matriz simples de LED, a diferença principal no chip de LED é o tamanho e o comprimento de onda. Normalmente, quanto maior o tamanho, maior o tamanho da matriz simples do LED, mais corrente pode ser tratada pelo LED e um desempenho mais perfeito. Para este LED de 2835 850 nm, nós o empacotamos com matriz simples de LED de 16 mil, que é o maior chip de matriz na série de LED de 850 nm. O que significa que este LED SMD pode lidar com mais de 100mA de corrente. Você precisa de LED infravermelho de 850 nm com LED 3528 PLCC2? Contate-nos para mais detalhes sobre o assunto!

2835 smd led

- Size: 3.5*2.8*1.9mm

- Chip Number: 1 chip

- Color: 850nm LED

- Type: Surface mount device

- Chip brand: customize

- Nick mark: Anode

- Different color are available

- Different wavelength are available

- Warranty: 5 Years

- RoHS, REACH, EN62471

- Uniform light output

- Long life-solid state reliability

- Low Power consumption

-Anti UV epoxy resin package

-High temperature resistance

- Parâmetros de dimensão -

3528 smd 850nm ir led

Esta caixa de LED SMD também está disponível para LED IV, LED UV, LED SMD azul, LED SMD vermelho, LED âmbar etc.

- Cor emissora -

* As cores na foto foram tiradas pela câmera, use a cor real de emissão como padrão.

- Parâmetros elétricos -

Parameter

Symbol

Rating

Power Dissipation

Pd

200mw

Pulse Forward Current

IFP

300mA

Forward Current

IF

100mA

Reverse Voltage

VR

5V

Junction Temperature

Tj

115°C

Operating Tempertature

Topr

-40 - +80°C

Storage Tempertature

Tstg

-40 - +100°C

Soldering Temperature

Tsol

260°C

Electro-Static-Discharge(HBM)

ESD

2000v

Warranty

Time

5Years

Antistatic bag

Piece

2000Bag

Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.

Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

Parameter

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Test Condition

Radiant Intensity

Ee

7

8

mW/sr

IF=20mA

20

30

IF=50mA

38

50

IF=100mA

Lumiuous Power

Po

20

30

mW

IF=20mA

25

35

IF=100mA

Viewing Angle

2q1/2

120

deg

IF=100mA

Peak Wavelength

λp

840

850

nm

IF=100mA

Spectral Bandwidth

Dl

50

nm

IF=100mA

Forward Voltage

VF

1.3

1.5

1.6

V

IF=20mA

1.4

1.5

1.7

IF=50mA

Reverse Current

IR

5

uA

VR=5V

Luminous Intensity is measured by ZWL600.

2q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.

*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.

- Conexão Golden Wire -

* A fim de manter a longa vida útil de cada LED, a fábrica BestLED usa fio de ouro de alta pureza para conexão do circuito interno

- Embalagem -

* Nós embalamos com embalagem a vácuo após a fita como uma bobina

- Aplicativo -

- LED IV relacionado -

- Produção -

- Usar -

SMD LED Use of attention

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Category: 850nm LED

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Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	200mw
Pulse Forward Current	IFP	300mA
Forward Current	IF	100mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	2000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	2000Bag
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Radiant Intensity	Ee	7		8	mW/sr	IF=20mA
		20	30			IF=50mA
		38		50		IF=100mA
Lumiuous Power	Po	20		30	mW	IF=20mA
Lumiuous Power	Po	25		35	mW	IF=100mA
Viewing Angle	2q1/2		120		deg	IF=100mA
Peak Wavelength	λp	840	850		nm	IF=100mA
Spectral Bandwidth	Dl		50		nm	IF=100mA
Forward Voltage	VF	1.3	1.5	1.6	V	IF=20mA
Forward Voltage	VF	1.4	1.5	1.7	V	IF=50mA
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*2q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.