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Pacote: Caixa de papelão
produtividade: 1000000000 pcs/week
transporte: Ocean,Land,Air
Lugar de origem: China
Apoio sobre: 7000000000 pcs/week
Certificados : GB/T19001-2008/ISO9001:2008
Código HS: 8541401000
porta: SHENZHEN
Tipo de pagamento: T/T,Paypal
Incoterm: FOB,EXW,FCA
Modelo: 3106PT850D-A3
marca: Melhor led.
Tipo De Fornecimento: Fabricante original
Materiais De Referência: Ficha de dados
Espécies: CONDUZIU
Tipo De Embalagem: Através do orifício
Certificação: Other
Uso: Other
Aplicação: Electronic Products
Luminous Intensity: High Directivity
Color: Other
Formation: Gold Thread
Type: Infrared Led
Inner Packing: Anti-Static Bag
Polarity: Short Pin Mark Cathode
Range Of Spectral Bandwidth: 700-1100nm
Type Of Lens: Black Lens
Collector-Emitter Voltage: 30v
Emitter-Collector Voltage: 5v
Wavelenghth Of Peak Sensitivity: 850nm
Package Quantity: 1000pcs/Bag
Half Sensitivity Angle: 60degree
1000PCS Weight: 200g
Unidades de venda: | Piece/Pieces |
---|---|
Tipo de pacote: | Caixa de papelão |
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Qual é a diferença entre o desempenho de fotodiodos e fototransistores?
1. O fototransistor pode ser considerado como a estrutura integrada do fotodiodo e transistor. Suas características são as características de saída do fotodiodo e as características do transistor.
2. Photodiodes podem ser usados como fontes de tensão ou corrente (ou seja, células fotovoltaicas) sem fonte de alimentação adicional.
3. O fototransistor deve ser operado com uma fonte de alimentação externa, para que possa produzir corrente muito maior do que o fotodiodo, porque foi amplificado pelo transistor.
- Size: - Chip Number: 1 chips - Color: 850nm - Type: Black clear - Chip brand: Tyntek |
- 60 degree - Different color are available - Different wavelength are available
- Warranty: 5 Years
- RoHS, REACH, EN62471 |
- Uniform light output - Long life-solid state reliability
- Low Power consumption
-Anti UV epoxy resin package -High temperature resistance |
* Este caso também está disponível para outros LED, tais como: 5mm LED através do orifício, LED UV, LED 660NM, LED 940NM, LED Azul de 5mm, LED amarelo, âmbar LED ect *
* Cores na foto foi levada pela câmera, por favor, tome a cor de emissão real como padrão.
Parameter |
Symbol |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
Test Condition |
Collector-Emitter Voltage |
VCEO |
|
|
30 | V |
|
Emitter-Collector Voltage |
VECO |
|
|
5 | V |
|
Collector Dark Current |
ICEO |
|
100 |
nA |
VCE=20V Ee=0mw/cm2 |
|
Collector-Emitter Breakdown Voltage |
Bvceo |
30 |
100 |
V |
ICBO=100uA Ee=0mw/cm2 |
|
Emitter-Collector Breakdown Voltage |
Bvceo |
6 |
|
V |
IECO=10uA |
|
Collector-Emitter Saturation Voltage |
VCE(sat) |
|
0.4 |
V |
IC=2mA IB=100uA Ee=1mw/cm2 |
|
Photocurrent 1 |
IPCE |
30 |
|
90 |
uA |
Vce=5V Ee=1mw/cm2
λP=850nm |
Photocurrent 2 |
IPCE | 90 |
|
270 | uA |
VCE=5V Ee=1mw/cm2 λP=940nm |
Current gain |
hFE |
270 |
|
900 |
uA |
VCE=5V IC=2mA |
Wavelenghth of Peak Sensitivity |
λP | 850 |
|
nm |
|
|
Range of Spectral Bandwidth |
λ0.5 |
400 |
|
1100 |
nm |
|
Response Time-Rise Time |
tR |
15 |
us |
Vce=5v Ic=1mA
RL=1000Ω |
||
Response Time-Fall Time |
tF |
|
15 |
|
us | |
Half Sensitivity angle |
△λ |
|
±10 |
|
deg |
|
Collector-base Capacitance |
CCB |
|
|
8 | PF | F=1MHz,VCB=3V |
- Conexão de fio dourada -
* Para manter cada um dos longos lifespan de LED, banhou fábrica de fábrica alto fio de ouro alto para conexão interna do circuito
* Podemos embalar este LED com qualquer número de pacotes e gravar ou dobrar os pinos LED como sua exigência.
Número De Telefone: 86-0755-89752405
Celular: +8615815584344
E-mail: amywu@byt-light.comEndereço: Building No. 1 Lane 1 Liuwu Nanlian The Fifth Industry Area , Longgang, Shenzhen, Guangdong China
site: https://pt.bestsmd.com
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