Lista de Produto> Receptor IR> IR Phototransistor através do pacote de 2 pinos de furo
IR Phototransistor através do pacote de 2 pinos de furo
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    • Quantidade de pedido mínimo: 5000 Piece/Pieces
    • transporte: Ocean,Land,Air
    • porta: SHENZHEN
    Capacidade de fornecimento e informações adicionais
    Additional Information

    PacoteCaixa de papelão

    produtividade1000000000 pcs/week

    transporteOcean,Land,Air

    Lugar de origemChina

    Apoio sobre7000000000 pcs/week

    Certificados GB/T19001-2008/ISO9001:2008

    Código HS8541401000

    portaSHENZHEN

    Tipo de pagamentoT/T,Paypal

    IncotermFOB,EXW,FCA

    Atributos do produto

    Modelo3106PT850D-A3

    marcaMelhor led.

    Tipo De FornecimentoFabricante original

    Materiais De ReferênciaFicha de dados

    EspéciesCONDUZIU

    Tipo De EmbalagemAtravés do orifício

    CertificaçãoOther

    UsoOther

    AplicaçãoElectronic Products

    Luminous IntensityHigh Directivity

    ColorOther

    FormationGold Thread

    TypeInfrared Led

    Inner PackingAnti-Static Bag

    PolarityShort Pin Mark Cathode

    Range Of Spectral Bandwidth700-1100nm

    Type Of LensBlack Lens

    Collector-Emitter Voltage30v

    Emitter-Collector Voltage5v

    Wavelenghth Of Peak Sensitivity850nm

    Package Quantity1000pcs/Bag

    Half Sensitivity Angle60degree

    1000PCS Weight200g

    Embalagem & Entrega
    Unidades de venda: Piece/Pieces
    Tipo de pacote: Caixa de papelão

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    Vídeo da empresa
    Digite o LED através do orifício como uma tira de carretel
    Descrição do produto

    Receptor de IR 3162PT850D-A3


    Qual é a diferença entre o desempenho de fotodiodos e fototransistores?

    1. O fototransistor pode ser considerado como a estrutura integrada do fotodiodo e transistor. Suas características são as características de saída do fotodiodo e as características do transistor.
    2. Photodiodes podem ser usados ​​como fontes de tensão ou corrente (ou seja, células fotovoltaicas) sem fonte de alimentação adicional.
    3. O fototransistor deve ser operado com uma fonte de alimentação externa, para que possa produzir corrente muito maior do que o fotodiodo, porque foi amplificado pelo transistor.

    850nm ir LED

    - Size: 

    - Chip Number: 1 chips

    - Color: 850nm 

    - Type: Black  clear

    - Chip brand: Tyntek

    - 60 degree

    - Different color are available

    - Different wavelength are available

    - Warranty: 5 Years

    - RoHS, REACH, EN62471

    - Uniform light output

    - Long life-solid state reliability

    - Low Power consumption

    -Anti UV epoxy resin package

    -High temperature resistance






    - Tamanho do LED de 3 mm de IR através do orifício -

    IR LED

    * Este caso também está disponível para outros LED, tais como: 5mm LED através do orifício, LED UV, LED 660NM, LED 940NM, LED Azul de 5mm, LED amarelo, âmbar LED ect *

    - Trabalhando através de Buraco IR LED -

    PT850 led

    * Cores na foto foi levada pela câmera, por favor, tome a cor de emissão real como padrão.

    - PARÂMETRO DE LED IR IR DO FURO -

    Parameter

    Symbol

    Min

    Typ

    Max

    Unit

    Test Condition

    Collector-Emitter Voltage

    VCEO

    30 V

    Emitter-Collector Voltage

    VECO

    5 V

    Collector Dark Current

    ICEO


    100

    nA

    VCE=20V

    Ee=0mw/cm2

    Collector-Emitter

    Breakdown Voltage

    Bvceo

    30

    100

    V

    ICBO=100uA

    Ee=0mw/cm2

    Emitter-Collector

    Breakdown Voltage

    Bvceo

    6


    V

    IECO=10uA

    Collector-Emitter

    Saturation Voltage

    VCE(sat)


    0.4

    V

    IC=2mA

    IB=100uA

    Ee=1mw/cm2

    Photocurrent 1

    IPCE

    30


    90

    uA

    Vce=5V

    Ee=1mw/cm2

    λP=850nm

    Photocurrent 2

    IPCE 90
    270 uA

    VCE=5V

    Ee=1mw/cm2

    λP=940nm

    Current gain

    hFE

    270


    900

    uA

    VCE=5V

    IC=2mA

    Wavelenghth of Peak Sensitivity

    λP 850


    nm


    Range of Spectral Bandwidth

    λ0.5

    400


    1100

    nm


    Response Time-Rise Time

    tR

    15

    us

    Vce=5v

    Ic=1mA

    RL=1000Ω

    Response Time-Fall Time

    tF
    15
    us

    Half Sensitivity angle

    △λ

    ±10

    deg

    Collector-base Capacitance

    CCB

    8 PF F=1MHz,VCB=3V

    - Conexão de fio dourada -

    infrared led

    * Para manter cada um dos longos lifespan de LED, banhou fábrica de fábrica alto fio de ouro alto para conexão interna do circuito

    - embalagem LED IR -

    infrared LED packaged

    * Podemos embalar este LED com qualquer número de pacotes e gravar ou dobrar os pinos LED como sua exigência.

    - LED infravermelho relacionado -

    IR LED

    - Processo de produção -

    LED LAMP

    - LED IR de Hrough-Hole -

    Through -hol led

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    Category: Receptor IR
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